記者17日獲悉，復(fù)旦大學(xué)周鵬/劉春森團(tuán)隊(duì)成功研制“破曉(PoX)”皮秒閃存器件，擦寫速度達(dá)到亞1納秒(400皮秒)，是人類目前掌握的最快半導(dǎo)體電荷存儲器件。

北京時(shí)間4月16日深夜，相關(guān)研究成果發(fā)表于國際頂尖期刊《自然》(Nature)。

從遠(yuǎn)古時(shí)代的結(jié)繩記事開始，人類對信息存儲速度的追求從未止步。隨著科技不斷演進(jìn)，電荷被證明是最佳存儲媒介，能夠以驚人的速度和卓越的可靠性承載海量數(shù)據(jù)。隨著人工智能(AI)時(shí)代的到來，計(jì)算范式正從傳統(tǒng)的邏輯運(yùn)算逐漸轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的計(jì)算模式。信息存取速度直接決定了算力上限，亟需存儲技術(shù)的突破來實(shí)現(xiàn)變革。

據(jù)介紹，目前速度最快的存儲器均為易失性存儲器，斷電后數(shù)據(jù)丟失的特性限制了其在低功耗場景下的應(yīng)用，難以滿足AI計(jì)算對數(shù)據(jù)極高速存取的需求。

復(fù)旦大學(xué)周鵬/劉春森團(tuán)隊(duì)構(gòu)建了準(zhǔn)二維高斯模型，成功從理論上預(yù)測了超注入現(xiàn)象，并據(jù)此研制“破曉(PoX)”皮秒閃存器件，其性能超越同技術(shù)節(jié)點(diǎn)下世界最快的易失性存儲SRAM技術(shù)；通過AI算法對工藝測試條件實(shí)現(xiàn)科學(xué)優(yōu)化，極大推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新與落地。

據(jù)悉，中國專家團(tuán)隊(duì)研發(fā)的突破性高速非易失閃存技術(shù)，不僅有望改變?nèi)虼鎯夹g(shù)格局，進(jìn)而推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級并催生全新應(yīng)用場景，還為中國在相關(guān)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)引領(lǐng)提供強(qiáng)有力支撐。

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